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Small-Signal and Noise Modeling of High-Electron-Mobility Transistors for Use in Quantum Technologies

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Produktnummer: 18b3e46cffb23e4fc4a92b09b7f5947dcc
Produktinformationen "Small-Signal and Noise Modeling of High-Electron-Mobility Transistors for Use in Quantum Technologies"
The processing of weak electromagnetic signals at radio frequencies, as needed in radio astronomical receivers or in qubit read-out, demands for low-noise amplifiers cooled to cryogenic temperatures. This work describes the characterization, modeling, and optimization of high-electron-mobility transistor amplifiers for cryogenic ultra-low-noise operation. As a result, a monolithic 4 – 8 GHz LNA with a noise temperature of 3.6 K is demonstrated.
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