Fundamentals of Power Semiconductor Devices
Produktnummer:
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| Autor: | Baliga, B. Jayant |
|---|---|
| Themengebiete: | Leistungsfeldeffekttransistor Schottky rectifiers Thyristor Transistor bipolar junction transistor field-effect transistor metal oxide semiconductur field-effect transistor power electronics semiconductor devices silicon devices |
| Veröffentlichungsdatum: | 23.08.2016 |
| EAN: | 9781489977656 |
| Sprache: | Englisch |
| Seitenzahl: | 1069 |
| Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
| Verlag: | Springer US |
Produktinformationen "Fundamentals of Power Semiconductor Devices"
Fundamentals of Power Semiconductor Devices provides an in-depth treatment of the physics of operation of power semiconductor devices that are commonly used by the power electronics industry. Analytical models for explaining the operation of all power semiconductor devices are shown. The treatment here focuses on silicon devices but includes the unique attributes and design requirements for emerging silicon carbide devices. The book will appeal to practicing engineers in the power semiconductor device community.
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