The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
Produktnummer:
1898419aae8ce04ad6b27f6c4d098e0694
| Autor: | Li, Zhiqiang |
|---|---|
| Themengebiete: | Contact resistance Dopant activation Dopant segregation Germanium-based MOSFET MOS device Nickel germanide Source and drain Thermal stability |
| Veröffentlichungsdatum: | 22.06.2016 |
| EAN: | 9783662496817 |
| Sprache: | Englisch |
| Seitenzahl: | 59 |
| Produktart: | Gebunden |
| Verlag: | Springer Berlin |
Produktinformationen "The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices"
This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600? and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8×10-7O•cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node.
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