The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
Produktnummer:
16A42828818
| Autor: | Li, Zhiqiang |
|---|---|
| Veröffentlichungsdatum: | 07.06.2018 |
| EAN: | 9783662570265 |
| Sprache: | Englisch |
| Seitenzahl: | 80 |
| Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
| Verlag: | Springer Berlin Springer Berlin Heidelberg |
Produktinformationen "The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices"
This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600¿ and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8×10¿7¿¿cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node.
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