Switching Characteristics of Integrated GaN-on-Si Half-Bridge and Driver Circuits
Produktnummer:
189e73b69c43864dbc86d0655fc903de94
| Autor: | Mönch, Stefan |
|---|---|
| Themengebiete: | , Materialwissenschaftler Elektroingenieure Gallium Nitride Physiker Power Integrated Circuits Substrates Transistors Wide Band Gap Semiconductors |
| Veröffentlichungsdatum: | 04.04.2022 |
| EAN: | 9783839617762 |
| Sprache: | Englisch |
| Seitenzahl: | 153 |
| Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
| Herausgeber: | Ambacher, Oliver |
| Verlag: | Fraunhofer Verlag |
Produktinformationen "Switching Characteristics of Integrated GaN-on-Si Half-Bridge and Driver Circuits"
This work examines particularities in the switching characteristics of gallium nitride (GaN) half-bridge and driver circuits, which arise from the integration on a common conductive silicon (Si) substrate. Experimental and theoretical investigations on GaN-on-Si half-bridges with drivers contribute to unlock the benefits of monolithic GaN-based power circuit integration for compact, clean switching and efficient power electronics.
Sie möchten lieber vor Ort einkaufen?
Sie haben Fragen zu diesem oder anderen Produkten oder möchten einfach gerne analog im Laden stöbern? Wir sind gerne für Sie da und beraten Sie auch telefonisch.
Juristische Fachbuchhandlung
Georg Blendl
Parcellistraße 5 (Maxburg)
8033 München
Montag - Freitag: 8:15 -18 Uhr
Samstags geschlossen