Micromechanical indentation study of stress related effects in transistor channels
Produktnummer:
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| Autor: | Schlipf, Simon |
|---|---|
| Themengebiete: | Fraunhofer IKTS device and process engineers electronic devices & materials mechanical engineering non-destructive testing reliability engineering reliability engineers testing of materials transistors |
| Veröffentlichungsdatum: | 21.03.2022 |
| EAN: | 9783839617977 |
| Sprache: | Englisch |
| Seitenzahl: | 134 |
| Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
| Herausgeber: | Michaelis, Alexander |
| Verlag: | Fraunhofer Verlag |
Produktinformationen "Micromechanical indentation study of stress related effects in transistor channels"
Stress inside the chip results into deviations of the transistor performance. In this thesis, micromechanical indentation is introduced to study stress effects on the electrical characteristics of CMOS transistors. The approach combines non-destructive indentation to induce well defined localized stress, electrical characterization of ring oscillator circuits under load as well as finite element simulations to estimate the introduced stress.
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