MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch
Produktnummer:
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| Autor: | Singh, Ghanshyam Srivastava, Viranjay M. |
|---|---|
| Themengebiete: | Analog/RF IC Design CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits CSDG MOSFET DP4T RF Switch Double-Gate MOSFET Double-Pole Four-Throw RF Switch HFO2 Based Double-Gate MOSFET |
| Veröffentlichungsdatum: | 18.10.2013 |
| EAN: | 9783319011646 |
| Sprache: | Englisch |
| Seitenzahl: | 199 |
| Produktart: | Gebunden |
| Verlag: | Springer International Publishing |
Produktinformationen "MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch"
This book provides analysis and discusses the design of various MOSFET technologies which are used for the design of Double-Pole Four-Throw (DP4T) RF switches for next generation communication systems. The authors discuss the design of the (DP4T) RF switch by using the Double-Gate (DG) MOSFET, as well as the Cylindrical Surrounding double-gate (CSDG) MOSFET. The effect of HFO2 (high dielectric material) in the design of DG MOSFET and CSDG MOSFET is also explored. Coverage includes comparison of Single-gate MOSFET and Double-gate MOSFET switching parameters, as well as testing of MOSFETs parameters using image acquisition.
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