Integrated Sub-Millimeter-Wave High-Power Amplifiers in Advanced InGaAs-Channel HEMT Technology
Produktnummer:
18be135720834047fe9962f020eb0db604
| Autor: | John, Laurenz |
|---|---|
| Themengebiete: | Elektroingenieur Elektroingenieure Fraunhofer IAF Hochfrequenztechnik-Ingenieur circuits and components electronic devices electronic devices & materials electronics engineering microwave technology |
| Veröffentlichungsdatum: | 09.12.2021 |
| EAN: | 9783839617625 |
| Sprache: | Englisch |
| Seitenzahl: | 160 |
| Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
| Herausgeber: | Ambacher, Oliver |
| Verlag: | Fraunhofer Verlag |
Produktinformationen "Integrated Sub-Millimeter-Wave High-Power Amplifiers in Advanced InGaAs-Channel HEMT Technology"
Highly broadband power amplifiers are a key building block of next generation high-capacity communication and high-resolution imaging solution at the lower THz frequency band around 300 GHz. This thesis describes the investigation and realization of such high-power amplifiers, implemented in an InGaAs mHEMT technology.
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