AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
Produktnummer:
18831d7120f8004ec7833e044c33c33016
| Autor: | Kühn, Jutta |
|---|---|
| Themengebiete: | AlGaN/GaN HEMT MMIC design X-band power-added efficiency power amplifier |
| Veröffentlichungsdatum: | 17.06.2011 |
| EAN: | 9783866446151 |
| Sprache: | Englisch |
| Seitenzahl: | 259 |
| Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
| Verlag: | KIT Scientific Publishing |
Produktinformationen "AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications"
This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs.
Sie möchten lieber vor Ort einkaufen?
Sie haben Fragen zu diesem oder anderen Produkten oder möchten einfach gerne analog im Laden stöbern? Wir sind gerne für Sie da und beraten Sie auch telefonisch.
Juristische Fachbuchhandlung
Georg Blendl
Parcellistraße 5 (Maxburg)
8033 München
Montag - Freitag: 8:15 -18 Uhr
Samstags geschlossen